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薄膜方塊電阻測(cè)試儀
薄膜方塊電阻測(cè)試儀主要用來測(cè)量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層、導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜的方塊電阻。它由電氣測(cè)量部份（簡稱：主機(jī)）、測(cè)試架、四探針頭及測(cè)量軟件組成
測(cè)量范圍
10-5 ------1.9*105  Ω?cm
10-4------1.9*104  Ω?cm
可測(cè)硅棒尺寸： ，長度300mm；直徑20mm（**按用戶要求%改）
輸出電流：DC0.001-100mA  五檔連續(xù)可調(diào)   測(cè)量范圍：0-199.99mV
靈 敏 度： 10μA
輸入阻抗：1000ΩM
電阻測(cè)量誤差：%檔均低于±0.05%
供電電源：AC 220V ±10% 50/60Hz.
使用環(huán)境：溫度：23±2℃   相對(duì)溫度：≤65%